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TLP4172G Datasheet(PDF) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
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TLP4172G Datasheet(HTML) 5 Page - Toshiba Semiconductor |
5 / 6 page TLP4172G 2007-10-01 5 1 0 20 40 60 80 100 10 100 1000 3 30 300 VOFF = 350 V IF = 5 mA Ambient temperature Ta (°C) RON – Ta Ambient temperature Ta (°C) IOFF – Ta Ambient temperature Ta (°C) IFC – Ta ION – VON On-state voltage VON (V) Input current IF (mA) tON, tOFF – IF Ambient temperature Ta (°C) tON, tOFF – Ta 10 −40 3000 100 80 60 40 20 0 −20 300 100 30 1000 tON tOFF VDD = 20 V, RL = 200 Ω IF = 5 mA 1 100 Ta = 25°C VDD = 20 V, RL = 200 Ω tON tOFF 30 50 10 3 5 300 10 3000 300 100 30 1000 Ta = 25°C −4 −1 0 4 1 150 −150 −50 0 100 50 −100 −2 −3 2 3 ION = 90 mA t < 1 s 0 −40 5 100 80 60 40 20 0 −20 4 3 2 1 40 0 −20 0 20 40 80 100 60 20 30 50 −40 10 ION = 90 mA t < 1 s |
Número de pieza similar - TLP4172G_07 |
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Descripción similar - TLP4172G_07 |
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