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BC856BS Datasheet(PDF) 4 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
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BC856BS Datasheet(HTML) 4 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
4 / 5 page SMD Type www.kexin.com.cn 4 Transistors . PNP Transistors BC856BS (KC856BS) ■ Typical Characterisitics VCE = −5 V (1) Tamb = 100 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = −55 °C Tamb = 25 °C Fig 3. Per transistor: DC current gain as a function of collector current; typical values Fig 4. Per transistor: Collector current as a function of collector-emitter voltage; typical values VCE = −5 V; Tamb = 25 ° I C C/IB = 20 (1) Tamb = −55 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = 100 °C Fig 5. Per transistor: Base-emitter voltage as a function of collector current; typical values Fig 6. Per transistor: Base-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values 200 400 600 hFE 0 IC (mA) − 10−2 − 103 − 102 − 10−1 − 10 − 1 (1) (2) (3) VCE (V) 0 − 10 − 8 − 4 − 6 − 2 − 0.08 − 0.12 − 0.04 − 0.16 − 0.20 IC (A) 0 − 0.25 IB (mA) = −2.5 − 0.5 − 0.75 − 1.0 − 1.25 − 1.5 − 1.75 − 2.0 − 2.25 − 0.6 − 0.8 − 1 VBE (V) − 0.4 IC (mA) − 10−1 − 103 − 102 − 1 − 10 IC (mA) − 10−1 − 103 − 102 − 1 − 10 − 0.5 − 0.9 − 1.3 − 0.3 − 0.7 − 1.1 VBEsat (V) − 0.1 (1) (2) (3) |
Número de pieza similar - BC856BS_15 |
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Descripción similar - BC856BS_15 |
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