2SA1069A datasheet(2/8 Pages) NEC

No. de pieza	2SA1069A

Descripción Electrónicos	2SA1069 2SA1069A

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Fabricante Electrónico	NEC [NEC]

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2SA1069,1069A

データ・シート D14855JJ3V0DS00

2

電気的特性（TA = 25

°°°°C）

2SA1069 / 2SA1069A

項目

略号

条件

MIN.

TYP.

MAX.

単位

コレクタ – エミッタ間電圧

VCEO(SUS)

IC = –3.0 A, IB1 = –0.3 A, L = 1 mH

–60/–80

V

コレクタ – エミッタ間電圧

VCEX(SUS)1

IC = –3.0 A, IB1 = –IB2 = – 0.3 A,

VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180

µH, Clamped

–60/–80

V

コレクタ – エミッタ間電圧

VCEX(SUS)2

IC = –6.0 A, IB1 = –0.6 A, IB2 = 0.3 A,

VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180

µH, Clamped

–60/–80

V

コレクタしゃ断電流

ICBO

VCB = –60 / –80 V, IE = 0 A

–10

µA

コレクタしゃ断電流

ICER

VCE = –60 / –80 V, RBE = 51

Ω,

TA = 125

℃

–1.0

mA

コレクタしゃ断電流

ICEX1

VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V

–10

µA

コレクタしゃ断電流

ICEX2

VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V,

TA = 125

℃

–1.0

mA

エミッタしゃ断電流

IEBO

VEB = –5.0 V, IC = 0 A

–10

µA

直流電流増幅率

hFE1

VCE = –5.0 V, IC = –0.3 A

注

40

直流電流増幅率

hFE2

VCE = –5.0 V, IC = –3.0 A

注

40

200

コレクタ飽和電圧

VCE(sat)

IC = –3.0 A, IB = –0.3 A

注

–0.6

V

ベース飽和電圧

VBE(sat)

IC = –3.0 A, IB = –0.3 A

注

–1.5

V

ターンオン時間

ton

IC = –3.0 A, RL = 17

Ω,

0.5

µs

蓄積時間

tstg

IB1 = –IB2 = –0.3 A, VCC

≒ –50 V

2.5

µs

下降時間

tf

測定回路図参照

0.5

µs

注パルス測定 PW ≦ 350

µs, Duty Cycle ≦ 2 %

hFE

規格区分

捺印

ML

K

hFE2

40

∼80

60

∼120

100

∼200

スイッチング時間（ton，tstg，tf）測定回路

VCC

RL

IB1

IB2

IC

T.U.T.

VIN

PW

PW ≒ 50 s

µ

VBB ≒ 5.0 V

Duty Cycle

≦ 2 %

ベース電流波形

コレクタ電流波形

ton

tstg tf

90 %

IB1

IB2

10 %

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