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BUK456-60A Datasheet(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
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BUK456-60A Datasheet(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
5 / 7 page Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK456-60A/B Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics. V GS = f(QG); conditions: ID = 52 A; parameter VDS Fig.14. Typical reverse diode current. I F = f(VSDS); conditions: VGS = 0 V; parameter Tj 0 20 40 QG / nC VGS / V 12 10 8 6 4 2 0 VDS / V =10 40 BUK456-50 0 1 2 BUK456-50A VSDS / V IF / A 100 50 0 25 C 150 C April 1993 5 Rev 1.100 |
Número de pieza similar - BUK456-60A |
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Descripción similar - BUK456-60A |
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