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BF1210 Datasheet(Hoja de datos) 3 Page - NXP Semiconductors

No. de Pieza. BF1210
Descripción  Dual N-channel dual gate MOSFET
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Fabricante  PHILIPS [NXP Semiconductors]
Página de inicio  http://www.nxp.com
Logo 

 
 3 page
background image
BF1210_1
© NXP B.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 25 October 2006
3 of 21
NXP Semiconductors
BF1210
Dual N-channel dual gate MOSFET
4.
Marking
5.
Limiting values
[1]
Tsp is the temperature at the soldering point of the source lead.
Table 4.
Marking
Type number
Marking
Description
BF1210
*AB
* = p : made in Hong Kong
* = t : made in Malaysia
* = w : made in China
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per MOSFET
VDS
drain-source voltage
-
6
V
ID
drain current
DC
-
30
mA
IG1
gate1 current
-
±10
mA
IG2
gate2 current
-
±10
mA
Ptot
total power dissipation
Tsp ≤ 107 °C
[1] -
180
mW
Tstg
storage temperature
−65
+150
°C
Tj
junction temperature
-
150
°C
Fig 1.
Power derating curve
Tsp (˚C)
0
200
150
50
100
001aac193
100
150
50
200
250
Ptot
(mW)
0




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