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Nombre de pieza
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2SC3156 Datasheet(Hoja de datos) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

No. de Pieza. 2SC3156
Descripción  Silicon NPN Power Transistors
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Fabricante  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Página de inicio  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 2 page
background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
2SC3156
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown voltage
IC=5mA ; RBE=∞
800
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown voltage
IC=1mA ; IE=0
900
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown voltage
IE=1mA ; IC=0
7
V
VCE(sat)
Collector-emitter saturation voltage
IC=3A; IB=0.6A
2.0
V
VBE(sat)
Base-emitter saturation voltage
IC=3A; IB=0.6A
1.5
V
ICBO
Collector cut-off current
VCB=800V; IE=0
10
μA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
10
μA
hFE-1
DC current gain
IC=0.4A ; VCE=5V
10
hFE-2
DC current gain
IC=2A ; VCE=5V
8
COB
Output capacitance
IE=0 ; VCB=10V, f=1MHz
120
pF
fT
Transition frequency
IC=0.4A ; VCE=10V
15
MHz
Switching times
ton
Turn-on time
1.0
μs
ts
Storage time
2.5
μs
tf
Fall time
IC=4A; IB1=0.8A;IB2=-1.6A
VCC=400V ,RL=100Ω
0.7
μs




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Número de Pieza relacionado

Número de PiezaDescripción de ComponentesHtml ViewFabricante
2N6059_03SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR 1 2 3 4 STMicroelectronics
RJK6014DPPSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 1 2 3 4 Renesas Technology Corp
BSP41SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 1 Zetex Semiconductors
BU508DWSilicon NPN Power Transistors 1 2 3 Inchange Semiconductor Company Limited

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