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CSD17302Q5A Datasheet(Hoja de datos) 3 Page - Texas Instruments

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No. de Pieza. CSD17302Q5A
Descripción  30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
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Fabricante  TI [Texas Instruments]
Página de inicio  http://www.ti.com
Logo 

   
 3 page
background image
GATE
Source
DRAIN
M0137-02
GATE
Source
DRAIN
M0137-01
t -PulseDuration-s
p
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1k
0.001
0.01
0.1
1
10
G012
DutyCycle=t /t
1 2
t
1
t
2
TypicalR
=100 C/W(minCu)
T =P
Z
R
q
q
q
JA
J
JA
JA
°
´
´
P
SinglePulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.3
0.5
CSD17302Q5A
www.ti.com
SLPS216 – FEBRUARY 2010
Max RqJA = 51°C/W
Max RqJA = 125°C/W
when mounted on
when mounted on a
1 inch2 (6.45 cm2) of
minimum pad area of
2-oz. (0.071-mm thick)
2-oz. (0.071-mm thick)
Cu.
Cu.
TYPICAL MOSFET CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise stated)
Figure 1. Transient Thermal Impedance
Copyright © 2010, Texas Instruments Incorporated
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3
Product Folder Link(s): CSD17302Q5A




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