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BC817 Datasheet(Hoja de datos) 1 Page - Rectron Semiconductor

No. de Pieza. BC817
Descripción  NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
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Fabricante  RECTRON [Rectron Semiconductor]
Página de inicio  http://www.rectron.com
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BC817
TECHNICAL SPECIFICATION
Absolute Maximun Ratings (Ta=25oC unless specified otherwise)
Dimensions SOT-23
Desription
SYMBOL
VALUE
UNITS
Collector-Emitter Voltage (V
BE = 0V )
V
CES
50
V
Collector Emitter Voltage (open base)
I
C = 10m A
V
CEO
45
V
Emitter Base Voltage
V
EBO
5V
Collector Current (DC)
I
C
500
mA
Collector Current - Peak
ICM
1000
mA
Emitter Current - Peak
(-IEM)
1000
mA
Base Current - (DC)
IB
100
mA
Base Current - Peak
IBM
200
mA
Total Power Dissipation up to Tamb = 25 °C
Ptot
250
mW
Storage Temperature
Tstg
(-55 to +150)
°C
Junction Temperature
TJ
150
°C
From junction to ambient
Rth(j-a)
500
k / W
Thermal Resistance
NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor
1BASE
2EMITTER
3
COLLECTOR




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