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2SC3074 Datasheet(Hoja de datos) 1 Page - Toshiba Semiconductor

No. de Pieza. 2SC3074
Descripción  High Current Switching Applications
Descarga  5 Pages
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Fabricante  TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Página de inicio  http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng
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 1 page
background image
2SC3074
2005-02-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3074
High Current Switching Applications
• Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A)
• High speed switching time: tstg = 1.0 µs (typ)
• Complementary to 2SA1244
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
5
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
20
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
−55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)




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