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2N5052 Datasheet(Hoja de datos) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

No. de Pieza. 2N5052
Descripción  Silicon NPN Power Transistors
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Fabricante  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Página de inicio  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 2 page
background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
2N5050 2N5051 2N5052
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
2N5050
125
2N5051
150
VCEO(SUS)
Collector-emitter
sustaining voltage
2N5052
IC=0.1A ;IB=0
200
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=2A; IB=0.5A
1.2
V
VBEsat
Base-emitter saturation voltage
IC=2A; IB=0.5A
1.5
V
VBE
Base-emitter on voltage
IC=750mA ; VCE=5V
1.2
V
2N4910
VCE=125V; IB=0
2N4911
VCE=150V; IB=0
ICEO
Collector cut-off current
2N4912
VCE=200V; IB=0
5.0
mA
ICBO
Collector cut-off current
VCB=Rated VCBO; IE=0
0.1
mA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=7V; IC=0
1.0
mA
hFE
DC current gain
IC=750mA ; VCE=5V
25
100
fT
Transition frequency
IC=500mA;VCE=10V;f=1MHz
10
MHz




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