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Nombre de pieza
         Descripción


2SC3264 Datasheet(Hoja de datos) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

No. de Pieza. 2SC3264
Descripción  isc Silicon NPN Power Transistor
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Fabricante  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Página de inicio  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 2 page
background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3264
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC= 25mA ; IB= 0
230
V
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 0.5A
B
2.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB= 230V; IE= 0
100
μA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 5V; IC= 0
100
μA
hFE
DC Current Gain
IC= 5A; VCE= 4V
50
140
COB
Output Capacitance
IE= 0; VCB= 10V;ftest= 1.0MHz
250
pF
fT
Current-Gain—Bandwidth Product
IE= -2A; VCE= 12V
60
MHz
Switching times
ton
Turn-on Time
0.3
μs
tstg
Storage Time
2.4
μs
tf
Fall Time
IC= 5A ,RL= 12Ω,
IB1= -IB2= 0.5A,VCC= 60V
0.5
μs
hFE Classifications
O
Y
50-100
70-140
isc Website:www.iscsemi.cn
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