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BUZ380 Datasheet(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ380 Datasheet(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 380 Typ. gate charge VGS = ƒ(QGate) parameter: I D puls = 8 A 0 20 40 60 80 100 120 140 nC 180 Q Gate 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS DS max V 0,8 DS max V 0,2 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 900 920 940 960 980 1000 1020 1040 1060 1080 1100 1120 1140 1160 V 1200 V (BR)DSS |
Número de pieza similar - BUZ380 |
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Descripción similar - BUZ380 |
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