Motor de Búsqueda de Datasheet de Componentes Electrónicos
Selected language     Spanish  ▼
Nombre de pieza
         Descripción


STP18NM60N Datasheet(Hoja de datos) 5 Page - STMicroelectronics

No. de Pieza. STP18NM60N
Descripción  N-channel 600 V, 0.26 Ω typ., 13 A MDmesh™ II Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247
Descarga  21 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100% Zoom Out
Fabricante  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
Logo 

 
 5 page
background image
STB18NM60N, STF18NM60N, STP18NM60N, STW18NM60N
Electrical characteristics
Doc ID 15868 Rev 4
5/21
Table 7.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ. Max.
Unit
ISD
ISDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Source-drain current
Source-drain current (pulsed)
-
13
52
A
A
VSD
(2)
2.
Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%
Forward on voltage
ISD = 13 A, VGS=0
-
1.6
V
trr
Qrr
IRRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
ISD =13 A, di/dt =100 A/µs,
VDD = 60 V
(see Figure 20)
-
300
4.0
25
ns
µC
A
trr
Qrr
IRRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
VDD = 60 V
di/dt =100 A/µs, ISD = 13 A
Tj = 150°C (see Figure 20)
-
360
4.5
25
ns
µC
A




Html Pages

1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 


Datasheet Download




Enlace URL

¿ALLDATASHEET es útil para Ud.?  [ DONATE ]  

Todo acerca de Alldatasheet   |   Publicidad   |   Contáctenos   |   Política de Privacidad   |   Favorito   |   Intercambio de Enlaces   |   Lista de Fabricantes
All Rights Reserved© Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  , Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp  |   Russian : Alldatasheetru.com
Korean : Alldatasheet.co.kr   |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com  |   Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl