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STD155N3LH6 Datasheet(Hoja de datos) 6 Page - STMicroelectronics

No. de Pieza. STD155N3LH6
Descripción  N-channel 30 V, 2.4 , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET
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Fabricante  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de inicio  http://www.st.com
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 6 page
background image
Electrical characteristics
STB155N3LH6, STD155N3LH6
6/18
Doc ID 17893 Rev 3
2.1
Electrical characteristics (curves)
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Thermal impedance
Figure 4.
Output characteristics
Figure 5.
Transfer characteristics
Figure 6.
Normalized BVDSS vs temperature
Figure 7.
Static drain-source on resistance
ID
100
10
1
0.1
1
VDS(V)
10
(A)
Oper
ation
in
thi
s
are
a i
s
Limited
by
m
ax
R
D
S
(on)
100µs
1ms
10ms
Tj=175°C
Tc=25°C
Single pulse
AM09101v1
ID
150
100
50
0
0
1.0
VDS(V)
(A)
0.5
1.5
200
250
5V
4V
3V
VGS=10V
300
AM09102v1
ID
150
100
50
0
0
2
VGS(V)
4
(A)
1
3
200
VDS=1V
AM09103v1
BVDSS
-75
TJ(°C)
(norm)
-25
75
25
125
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
ID=1mA
1.10
AM09104v1
RDS(on)
1.5
1.0
0.5
0
0
40
ID(A)
(m
Ω)
20
60
2.0
2.5
3.0
3.5
VGS=10V
80
AM09105v1




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