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STD13NM60ND Datasheet(Hoja de datos) 9 Page - STMicroelectronics

No. de Pieza. STD13NM60ND
Descripción  N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK
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Fabricante  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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DocID024645 Rev 1
9/21
STD13NM60ND, STF13NM60ND, STP13NM60ND
Test circuits
3
Test circuits
Figure 17. Switching times test circuit for
resistive load
Figure 18. Gate charge test circuit
Figure 19. Test circuit for inductive load
switching and diode recovery times
Figure 20. Unclamped inductive load test circuit
Figure 21. Unclamped inductive waveform
Figure 22. Switching time waveform
AM01468v1
VGS
PW
VD
RG
RL
D.U.T.
2200
μF
3.3
μF
VDD
AM01469v1
VDD
47k
Ω
1k
Ω
47k
Ω
2.7k
Ω
1k
Ω
12V
Vi=20V=VGMAX
2200
μF
PW
IG=CONST
100
Ω
100nF
D.U.T.
VG
AM01470v1
A
D
D.U.T.
S
B
G
25
Ω
A
A
B
B
RG
G
FAST
DIODE
D
S
L=100
μH
μF
3.3
1000
μF
VDD
AM01471v1
Vi
Pw
VD
ID
D.U.T.
L
2200
μF
3.3
μF
VDD
AM01472v1
V(BR)DSS
VDD
VDD
VD
IDM
ID
AM01473v1
VDS
ton
tdon
tdoff
toff
tf
tr
90%
10%
10%
0
0
90%
90%
10%
VGS




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