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         Descripción


2SC3083_2014 Datasheet(Hoja de datos) 1 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

No. de Pieza. 2SC3083_2014
Descripción  Silicon NPN Power Transistors
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Fabricante  JMNIC [Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.]
Página de inicio  http://www.jmnic.com
Logo 

   
 1 page
background image
JMnic
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC3083
DESCRIPTION
・With TO-3PN package
・High breakdown voltage (VCBO≥500V)
・Fast switching speed
・Wide ASO(Safe Operating Area)
APPLICATIONS
・400V/6A switching regulator applications
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
Base
2
Collector;connected to
mounting base
3
Emitter
Absolute maximum ratings (Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-base voltage
Open emitter
500
V
VCEO
Collector-emitter voltage
Open base
400
V
VEBO
Emitter-base voltage
Open collector
7
V
IC
Collector current
6
A
ICM
Collector current-peak
12
A
IB
Base current
2
A
Ta=25℃
2.5
PC
Collector power dissipation
TC=25℃
60
W
Tj
Junction temperature
150
Tstg
Storage temperature
-55~150
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol




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