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Nombre de pieza
         Descripción


IRF530FI Datasheet(Hoja de datos) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

No. de Pieza. IRF530FI
Descripción  isc N-Channel Mosfet Transistor
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Fabricante  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
Página de inicio  http://www.iscsemi.cn
Logo 

   
 2 page
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INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc website:www.iscsemi.cn
isc & iscsemi is registered trademark
2
isc N-Channel Mosfet Transistor
IRF530FI
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
100
V
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
VDS= VGS; ID= 0.25mA
2
4
V
RDS(on)
Drain-Source On-Resistance
VGS= 10V; ID= 8A
0.16
Ω
IGSS
Gate-Body Leakage Current
VGS= ±20V;VDS= 0
±500
nA
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS= 100V; VGS=0
250
uA
VSD
Forward On-Voltage
IS= 10A; VGS=0
2.5
V
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