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CSD17576Q5B Datasheet(Hoja de datos) 4 Page - Texas Instruments

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No. de Pieza. CSD17576Q5B
Descripción  30V N-Channel NexFET Power MOSFET
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Fabricante  TI1 [Texas Instruments]
Página de inicio  http://www.ti.com
Logo 

 
 4 page
background image
GATE
Source
DRAIN
M0137-01
GATE
Source
DRAIN
M0137-02
CSD17576Q5B
SLPS497 – JUNE 2014
www.ti.com
Max RθJA = 50°C/W
Max RθJA = 125°C/W
when mounted on
when mounted on a
1 inch2 (6.45 cm2) of
minimum pad area of
2-oz. (0.071-mm thick)
2-oz. (0.071-mm thick)
Cu.
Cu.
5.3 Typical MOSFET Characteristics
(TA = 25°C unless otherwise stated)
Figure 1. Transient Thermal Impedance
4
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Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: CSD17576Q5B




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